[ Сегодня идет свободное скачивание без начисления Download ]


 
 

К выставке Big Sight в Токио, которая проходит с 10 по 12 декабря, компания Fujitsu Laboratories подготовила интересную новинку — самое компактное и одновременно самое эффективное зарядное устройство для смартфонов. Казалось бы, чем может удивить зарядное устройство? Оказалось — может! Разработчики из Fujitsu использовали в схеме устройства новейшие силовые транзисторы на основе нитрида галлия (GaN). Это пока редкий «зверь» в бытовых электронных приборах. Транзисторы на основе GaN способны работать на частотах, вдесятеро превышающих скорость переключения традиционных кремниевых полевых транзисторов. Этому способствует высокая подвижность электронов в нитриде галлия. Также GaN-транзисторы обладают низким динамическим сопротивлением и характеризуются низким пороговым напряжением переключения. Прототип первого блока питания для смартфонов на транзисторе из нитрида галлия (Fujitsu Laboratories)
Благодаря перечисленным выше характеристикам блоки питания на основе транзисторов из нитрида галлия оказываются значительно меньше по размерам и способны отдавать нагрузке повышенные токи с уменьшенными потерями при преобразовании. Прототип блока питания Fujitsu для смартфона имеет объём всего 15 кубических сантиметров и отдаёт нагрузке до 12 Вт. Коэффициент полезного действия достигает значения 87 %. Последнее не менее важно, чем малые размеры и высокие токи. Ёмкости батареек в смартфонах постепенно растут, а значит, растёт время, требуемое для полного заряда аккумулятора. Чем выше КПД преобразователя, тем меньше электроэнергии сгорает впустую, что идёт в плюс экономике и экологии. Предложенная компанией Fujitsu схемотехника и использование GaN-транзисторов практически устраняют паразитные переходные процессы при преобразовании сетевого напряжения в напряжение, требуемое для заряда батареи смартфона. Идеальная «пила» при преобразовании импульса, которая не уходит в минус (Fujitsu Laboratories)
Также аккумулятор смартфона зарядится быстрее, если блок питания окажется достаточно мощным. Как считают разработчики, представленный прототип блока питания поможет зарядить аккумулятор смартфона всего за 1/3 типичного времени заряда, свойственного современным блокам питания. Следует добавить, что в феврале 2016 года на территории США вводится требование продавать внешние блоки питания с уровнем КПД, отвечающие требованиям нового стандарта «Level VI». Прототип блока питания Fujitsu, как следует из графика ниже, по характеристикам превышает требования Level VI и не нарушит законодательства. Правда, в продажу блоки питания на GaN-транзисторах компания рассчитывает отправить только в финансовом 2017 году (с апреля 2017 года). КПД опытного блока питания на GaN-транзисторе удовлетворяет требованиям нового стандарта Level VI (Fujitsu Laboratories)



Показать сообщения:    

Текущее время: 07-Дек 21:24

Часовой пояс: UTC + 3


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

!ВНИМАНИЕ!
Сайт не предоставляет электронные версии произведений, а занимается лишь коллекционированием и каталогизацией ссылок, присылаемых и публикуемых на форуме нашими читателями. Если вы являетесь правообладателем какого-либо представленного материала и не желаете, чтобы ссылка на него находилась в нашем каталоге, свяжитесь с нами, и мы незамедлительно удалим ее. Файлы для обмена на трекере предоставлены пользователями сайта, и администрация не несет ответственности за их содержание. Просьба не заливать файлы, защищенные авторскими правами, а также файлы нелегального содержания!