[ Сегодня идет свободное скачивание без начисления Download ]


 
 

Переход на сканеры для полупроводниковой литографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм не просто назрел, он перезрел, как минимум на пять, а то и больше лет. Давным-давно производители собирались начать использовать EUV-литографию в 2005 году или около того. Череда больших и малых кризисов поломала эти планы. Кризис «доткомов», кризис перепроизводства компьютерной памяти, корпоративный кризис, финансово-кредитный кризис 2008 года, начало сокращения рынка ПК — это всё сдерживало серьёзные капитальные вливания в принципиально новое оборудование. Тянули на старом: прогоняли по две проекции с чуть смещёнными фотошаблонами, играли с полутенями и интерференцией, для повышения разрешающей способности погружали оптику проекторов в жидкости — 193-нм сканеры всё работали и работали. До техпроцесса с нормами 7 нм, как оказалось, без EUV-проекции всё ещё можно обойтись. Дальше — себе дороже. Иными словами, переход на EUV-проекцию всё-таки назрел. Типичная оптическая колонна для 193-нм сканеров
К сожалению, EUV-сканеры — это ещё не всё, что необходимо для перехода на новое оборудование. Для работы с EUV-излучением требуются новый светочувствительный материал — фоторезист, а также фотомаски из другого материала. Излучение очень жёсткое и традиционные материалы быстро и надёжно разрушаются под его воздействием. Стоимость фотомасок давно приблизилась к одному миллиону долларов США за каждую, и никто в здравом уме не собирается сжигать такую дорогую вещь за один проход. Также надо учитывать, что оптическая система EUV-сканеров работает на отражении — через систему фокусирующих зеркал, тогда как оптическая система современных сканеров работает на просвет. Соответственно, новые фотомаски должны быть зеркальными, а не прозрачными. В общем, нерешённых проблем остаётся много, а времени до желательного начала производства с помощью EUV-сканеров всё меньше. Индустрия жаждет начать коммерческое использование EUV-сканеров в 2018 или в 2019 году — через два-три года. Общий принцип организации оптической системы EUV-установки
Можно ожидать, что многих проблем, связанных с EUV-литографией, в одиночку не решить — они комплексные, а решение требует значительных затрат на исследования. В связи с этим компания GlobalFoundries и Политехнический Институт SUNY (штат Нью-Йорк) договорились создать центр по изучению проблем EUV-литографии. Центр будет решать вопросы с применением EUV-сканеров для производства полупроводников с нормами 7 нм и меньшими. Предусмотренный объём финансирования — 500 млн долларов CША в течение пяти лет. Центр получит один сканер ASML NXE:3300 и примет на работу около 100 человек исследователей. Создаётся ощущение, что организаторы опоздали с этим центром лет на пять, но лишним он всё равно не будет даже сейчас.



Показать сообщения:    

Текущее время: 07-Дек 21:20

Часовой пояс: UTC + 3


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

!ВНИМАНИЕ!
Сайт не предоставляет электронные версии произведений, а занимается лишь коллекционированием и каталогизацией ссылок, присылаемых и публикуемых на форуме нашими читателями. Если вы являетесь правообладателем какого-либо представленного материала и не желаете, чтобы ссылка на него находилась в нашем каталоге, свяжитесь с нами, и мы незамедлительно удалим ее. Файлы для обмена на трекере предоставлены пользователями сайта, и администрация не несет ответственности за их содержание. Просьба не заливать файлы, защищенные авторскими правами, а также файлы нелегального содержания!