[ Сегодня идет свободное скачивание без начисления Download ]


 
 

На фоне снижения спроса на персональные компьютеры дешевеет компьютерная память типа DRAM. Для производителей памяти это означает, что надо либо снижать объёмы производства, чтобы спрос стабильно превалировал над предложением (спекуляция), либо совершенствовать производство и выпускать память с меньшей себестоимостью.
Все предшествующие годы вопрос со снижением себестоимости решался относительно просто — производители снижали технологические нормы производства и повышали число кристаллов на пластине. Например, переход с 30-нм норм производства DRAM на 20-нм нормы увеличивал число кристаллов на пластине на 30 %. Непосредственно себестоимость снижалась на меньшее значение (мешали сопутствующие переходу затраты), но в случае массового производства экономия получалась существенная. И всё было хорошо, пока производители не упёрлись в проблемы дальнейшего снижения масштаба техпроцесса. Микросхемы памяти компании Samsung (Samsung)
С переходом на нормы производства класса 10 нм возникли следующие основные трудности. Во-первых, для переноса изображения на пластину требуется уже не два, а три и даже четыре фотошаблона и, соответственно, такое же увеличение числа циклов обработки пластины. Во-вторых, конденсатор ячейки памяти для хранения заряда (информации) стал настолько мал, что для повышения его ёмкости до необходимой требуется его физически очень сильно растягивать, что чревато появлением дефектов. В-третьих, из-за сближения ячеек (конденсаторов) электроны начинают туннелировать между конденсаторами и происходит потеря данных. Помимо перечисленных есть масса других трудностей, но это основные. Инновационная сотовая структура памяти DRAM компании Samsung для техпроцессов от 20 нм и меньше (Samsung)
Как сообщают южно-корейские источники, компания Samsung успешно решила все проблемы и готова во втором квартале приступить к массовому производству памяти DRAM с использованием 18-нм техпроцесса. Это будет первое в мире производство кристаллов памяти с нормами класса 10 нм. Утверждается, что компания Micron отстаёт в этом от Samsung на целых два года. Ранее также сообщалось, что компания SK Hynix приступит к опытному производству 18-нм кристаллов DRAM в конце 2016 года. Иначе говоря, в условиях сжимающегося рынка Samsung сможет предложить более интересную по цене память.
Впрочем, на перовых порах компания намеревается продвигать 18-нм микросхемы DRAM в наиболее прибыльных сегментах — для серверов и ноутбуков. Для расширения выпуска 18-нм микросхем DRAM компания будет докупать производственное оборудование во второй половине текущего года и после его ввода в строй начнёт предлагать 18-нм DRAM для настольных ПК.



Показать сообщения:    

Текущее время: 09-Дек 06:57

Часовой пояс: UTC + 3


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете голосовать в опросах
Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям
Вы не можете скачивать файлы

!ВНИМАНИЕ!
Сайт не предоставляет электронные версии произведений, а занимается лишь коллекционированием и каталогизацией ссылок, присылаемых и публикуемых на форуме нашими читателями. Если вы являетесь правообладателем какого-либо представленного материала и не желаете, чтобы ссылка на него находилась в нашем каталоге, свяжитесь с нами, и мы незамедлительно удалим ее. Файлы для обмена на трекере предоставлены пользователями сайта, и администрация не несет ответственности за их содержание. Просьба не заливать файлы, защищенные авторскими правами, а также файлы нелегального содержания!